轟擊擴散鍍層法、動態(tài)反沖法以及離子束混合法等，從而使得離子注入加工技術的應用更為廣泛。

   離子注入在半導體方面的應用，目前已很普遍。哈默納科半導體電子諧波CSG-32-100-2UH它是將硼、磷等“雜質"離子注入半導體，從而改變導電型式〔P型或N型)，以制造一些通常用熱擴散難以獲得的各種特殊要求的半導體器件。由于離子注入的濃度、深度和注入區(qū)域均可精確控制，所以成為制作半導體器件和大面積集成電路的重要手段。

   離子注入表面改性是離子注入加工技術應用的另一個重要領域。離子注入可用以改變金屬表面的物理化學性能，可以制得新的合金，從而改善金屬表面的耐磨性能、耐腐蝕性能、抗疲勞性能和潤滑性能等，

   離子注入可以改善金屬材料的耐磨性能哈默納科半導體電子諧波CSG-32-100-2UH。如在低碳鋼中注入N, B, Mo等元素以后，在磨損過程中，材料表面局部溫升形成溫度梯度，使注入離子向襯底擴散。這樣不斷在表面形成硬化層，提高了材料的耐磨性能。

   離子注入可以提高金屬材料的硬度。這是因為注入離子及其凝聚物將引起材料晶格畸變、缺陷增多的緣故。如在純鐵中注入B，其顯微硬度可提高20 %。將硅注入鐵，可形成馬氏體結構的強化層